PHD71NQ03LT_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/7.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
PHD71NQ03LT 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经济高效的TO-252-2L封装，专为高电流应用设计。其主要特性包括工作电压VDSS高达30V，具备强劲的电流承载能力，最大连续电流ID高达50A；并且具备极低的导通电阻RD(on)仅为7.5mR，从而确保在大电流操作时保持高效能与低发热。此款MOS管适用于电源转换、电机驱动、储能系统以及各类高功率开关应用，是提高系统性能与可靠性的理想半导体组件。
