STN484D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/7.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
STN484D 是一款高性能N沟道MOSFET，采用行业标准TO-252-2L封装，专为处理高功率应用而设计。该器件具有卓越的电气性能工作电压VDSS高达30V，可承载峰值电流ID为50A，尤其值得关注的是其超低导通电阻RD(on)仅为7.5mR，有效减少能量损耗并提高系统效率。此款MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统以及各种需要大电流、低阻抗开关特性的场合，是提升电路性能的理想选择。
