FDD6680AS_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/7.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDD6680AS 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型TO-252-2L封装，专为高电流应用场合打造。器件关键特性包括工作电压VDSS高达30V，可承载高达60A的强大连续电流，其超低导通电阻RD(on)仅为7mR，确保在大电流运行下仍能维持高效能和低热量损耗。
