NTD4809N_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/7.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTD4809N 是一款高功率N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为满足大电流应用需求而设计。器件亮点包括工作电压VDSS高达30V，能安全承载60A的连续电流，尤其引人注目的是其超低导通电阻RD(on)仅为7mR，确保在大电流运行时仍然保持卓越的能效与低热损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等领域，是提高系统性能和节能效果的理想半导体组件。
