SM418T9RL_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/7.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SM418T9RL 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为处理大电流、高功率应用设计。器件具有出色电气性能工作电压VDSS高达30V，能承受60A连续电流，且导通电阻RD(on)低至7mR，有效降低了功耗和热损，保证在大电流状态下仍保持高效能运作。
