FDD8782_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/7.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
FDD8782 是一款高性能N沟道MOSFET，采用标准TO-252-2L封装，特别针对大电流应用场合优化设计。器件特色鲜明工作电压VDSS高达30V，能承载60A的连续电流，且导通电阻RD(on)仅为7mR，保证在大电流运行时维持高效能和低热耗损。
