FDD8870_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/120.0A 参数4：RDON/3.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
MOS管FDD8870 采用先进工艺打造的N沟道MOSFET，封装形式为TO-252-2L，具有高效能与高可靠性。其耐压值高达VDSS30V，连续漏极电流可达ID120A，展现出强大的电流承载能力。更值得关注的是，该器件拥有出色的导通电阻仅为3mΩ，大大降低了功耗并提升系统效率，是各类电源转换、电机驱动等应用的理想选择。
