NTD4804N_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/120.0A 参数4：RDON/3.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTD4804N MOS管是一款高性能N沟道功率器件，封装采用紧凑型TO-252-2L，适用于各类空间有限的电路设计。此款MOS管具有30V的最大漏源电压(VDSS)，提供高达120A的连续漏极电流(ID)，保证了卓越的电力处理能力。其亮点在于超低的导通电阻RD(on)仅3mΩ，有效减少能量损耗，提高系统工作效率，广泛应用于开关电源、马达驱动及其它电力电子领域。
