NTD4904N_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/120.0A 参数4：RDON/3.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
NTD4904N N沟道MOS管选用高品质TO-252-2L封装，专为高功率密度应用设计。这款MOSFET具备30V的最高栅源电压(VDSS)，可持续承受高达120A的漏极电流(ID)，确保强大而稳定的电力传输性能。尤为突出的是其优异的导通电阻，仅3mΩ的RD(on)，有效降低功率损耗，显著提升能源利用率，特别适合于开关电源、电机控制以及各种要求高效节能的电路系统中。
