PSMN3R4-30BLE_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/120.0A 参数4：RDON/3.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
PSMN3R4-30BLE N沟道MOS管采用先进的TO-252-2L封装，旨在优化空间利用并提升散热性能。本器件额定漏源电压(VDSS)为30V，最大连续漏极电流(ID)高达120A，可轻松应对大电流应用场景。其独特优势在于极低的导通电阻RD(on)，仅为3mΩ，确保在工作状态下减少能耗，提高整体系统效率。广泛应用于开关电源、马达驱动、LED照明等领域，是高效能、低功耗解决方案的理想之选。
