AOD508_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
AOD508 N沟道MOS管采用高效封装TO-252-2L，为现代电子产品的小型化和高性能需求量身定制。该器件具有30V的最大漏源耐压(VDSS)，能够稳定承载高达150A的连续漏极电流(ID)，凸显出卓越的电流处理性能。其核心亮点在于仅为2mΩ的超低导通电阻RD(on)，有效减少了能量损失，提升了整体系统能效。广泛应用于开关电源、DC/DC转换器、电机驱动等多个领域，是追求高效、节能方案的不二之选。
