DMN3009SK3_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN3009SK3 N沟道MOS管采用紧凑型TO-252-2L封装，专为高功率密度及空间受限的设计需求打造。此器件配备30V的最大漏源电压(VDSS)，可承载高达150A的连续漏极电流(ID)，充分展示了其卓越的电力处理能力。尤为突出的是其业界领先的2mΩ导通电阻(RD(on))，显著降低传导损耗，大幅提升系统能效，是追求极致性能与节能效果的理想半导体组件。
