IPD90N03S4L-03_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IPD90N03S4L-03 是一款高功率N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，适用于大电流、高效率的电路设计。器件特点包括最大漏源电压(VDSS)30V，可承受高达150A的连续漏极电流(ID)，尤其突出的是其超低导通电阻(RD(on))仅为2mR，确保在大电流应用中实现卓越的能效比。此款MOS管广泛应用于电源转换、电动车充电设备、太阳能逆变器等高功率领域，是系统效能优化的理想选择。
