IRFR8314PBF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/150.0A 参数4：RDON/2.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRFR8314PBF N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，专为高性能电源管理和电机驱动应用设计。器件能在30V的最大漏源电压(VDSS)下运行，并能处理高达150A的连续漏极电流(ID)，展现出强大的电流处理能力。其关键特性在于极低的导通电阻RD(on)仅为2mΩ，这将大幅度降低系统内部损耗，提升整体效率，成为开关电源、逆变器、充电设备等领域的理想半导体元件选择。
