SUD35N10-26P_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/18.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SUD35N10-26P N沟道MOS管，采用紧凑型TO-252-2L封装，专为高效率功率转换设计。该器件拥有100V的出色漏源耐压(VDSS)，并能稳定承载高达50A的连续漏极电流(ID)，充分体现了其卓越的功率处理性能。其导通电阻RD(on)为18mΩ，以较低的电阻损耗帮助提升系统能效，广泛应用于开关电源、电池管理系统、电机驱动等场合，是高电压、大电流应用的理想选择。
