SQD50P03-07_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/80.0A 参数4：RDON/5.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SQD50P03-07 P沟道MOS管采用TO-252-2L封装，专为高效能、低损耗的电路设计。器件提供30V的最大漏源电压(VDSS)，并可承受高达80A的连续漏极电流(ID)，彰显其卓越的电流承载能力。其导通电阻RD(on)低至5.5mΩ，大大降低了功率损耗，提高了整体系统效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等领域，是高质量、高性价比的P沟道MOS管解决方案。
