SQD19P06-60L_GE3_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/30.0A 参数4：RDON/48.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SQD19P06-60L_GE3 P沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，专为紧凑型、高效率电源设计。该器件提供60V的峰值漏源电压(VDSS)，并支持高达30A的连续漏极电流(ID)，确保在中高压环境下稳定工作。其导通电阻RD(on)为48mΩ，虽然不是最低，但兼顾了性能与成本，适合应用于负载开关、电源转换、低压电机驱动等领域，是寻求可靠性和性价比平衡方案的理想选择。
