SUD19P06-60-GE3_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/30.0A 参数4：RDON/48.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
SUD19P06-60-GE3 P沟道MOS管采用TO-252-2L封装，面向中高电压应用市场。该器件具有60V的漏源击穿电压(VDSS)，能够持续提供30A的漏极电流(ID)，保障在多种电源转换与控制场景下的稳定运行。其导通电阻RD(on)为48mΩ，在满足大多数常规应用需求的同时，兼顾了成本与效能。适用范围包括电源开关、电机驱动、适配器设计等，是寻找经济实用解决方案的理想选择。
