AUIRFR5305TR_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:TO-252-2L 类别:场效应管(MOSFET) 最小包装:2500圆盘 参数1:P沟道 参数2:VDSS/60.0V 参数3:ID/30.0A 参数4:RDON/48.0mR 标价:欢迎咨询
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产品介绍
AUIRFR5305TR P沟道MOS管采用了TO-252-2L封装形式,专为中高电压、大电流应用设计。该器件提供60V的最大漏源电压(VDSS),支持30A的连续漏极电流(ID),保证在严苛条件下的稳定性能输出。导通电阻RD(on)为48mΩ,能够在满足功率转换需求的同时,保持良好的能效比。适用于电源管理、电机驱动、电池保护等领域,是寻求可靠、高效、经济解决方案的理想选择。