RD3P050SNTL1_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/15.0A 参数4：RDON/100.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
RD3P050SNTL1 N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，针对100V高电压下的中等电流应用设计。该器件提供高达100V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID)，在高压环境中表现出色。尽管其导通电阻RD(on)为100mR，但依旧能在适当的电流级别上确保稳定和有效的功率传输。广泛适用于开关电源、电机驱动控制、电池管理系统等领域，是兼具性能与经济效益的优质半导体元件。
