RFD12N06RLES_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/27.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
RFD12N06RLES 是一款高品质N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，不仅拥有小巧的体积，还具有良好的散热性能。该器件能在60V的最大漏源电压(VDSS)下，持续提供高达20A的漏极电流(ID)，特别适应于高电压、大电流的工作环境。其出色的导通电阻RD(on)低至27mΩ，有助于提高系统能效，减少功率损耗。适用于电源转换器、电机控制器等各种场合，是您构建高效稳定电子系统的优质选择。
