RFD14N05LSM_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/27.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
RFD14N05LSM 是一款N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，具备出色的散热性能和空间利用率。在60V的最大漏源电压(VDSS)下，可承载高达20A的连续漏极电流(ID)，特别适用于高电压、大电流应用场景。其27mΩ的低导通电阻，有效提升了系统能效，降低了功率损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等场合，是您实现高性能、低能耗设计的理想半导体元件。
