DMP6180SK3_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/55.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMP6180SK3 是一款P沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为高功率应用设计。该器件具有60V的漏源电压额定值(VDSS)，可承载高达20A的连续漏极电流(ID)，且得益于其出色的导通性能，导通电阻仅为55mR，确保了在大电流工作条件下仍保持较低的功率损耗。广泛应用于电源转换、电池管理系统、逆变器和电机驱动等高功率场景中。
