DMP6180SK3Q_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/55.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMP6180SK3Q 是一款高性能P沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，适用于大电流应用场合。该器件具备60V的漏源耐压(VDSS)，并能支持高达20A的连续漏极电流(ID)，其突出特点在于超低的导通电阻RD(on)仅为55mR，确保在大电流工况下依然维持高效能和低功耗表现。广泛应用于电源转换、电池管理系统、逆变器和电机驱动等众多领域，是高功率应用的理想选择。
