RSD140P06_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/55.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
RSD140P06 是一款高性能P沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，专为大电流应用设计。器件拥有60V的漏源电压(VDSS)耐受能力，可持续处理高达20A的漏极电流(ID)。其卓越之处在于导通电阻RD(on)仅为55mR，有效降低功率损耗，提升系统能效。广泛应用于电源转换、电池管理系统、逆变器和大功率电机驱动等场景，是高功率、低损耗半导体解决方案的理想之选。
