STD64N4F6AG_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/40.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/7.7mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
STD64N4F6AG 是一款高功率N沟道MOSFET，封装采用TO-252-2L，适合于大电流、高效率的应用场景。它具备高达40V的漏源电压VDSS，能承载峰值电流60A，充分满足大规模电力切换与负载驱动需求。其卓越之处在于7.7mR的超低导通电阻RD(on)，确保了在大电流工作状态下依然维持极低的功率损耗，实现高效能运作。
