AOD66406_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/40.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/7.7mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AOD66406 N沟道MOS管采用TO-252-2L封装，针对大电流、高效率应用进行了优化设计。器件支持高达40V的漏源电压VDSS，可稳定承载60A连续漏极电流，满足高强度电力转换需求。其核心优势在于业界领先的7.7mR导通电阻RD(on)，在保证强大电流传输的同时，显著减少能量损耗，提升系统效能。
