SUD45P03-09-GE3_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/70.0A 参数4：RDON/8.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SUD45P03-09-GE3 是一款P沟道MOS管，采用高效散热的TO-252-2L封装，适用于大电流应用环境。该器件支持高达30V的漏源电压(VDSS)，并能安全处理70A的连续电流，体现出卓越的电力传输能力。其引人注目的特点是仅8mR的导通电阻(RD(on))，有效提升系统能效，减少功率损耗，是电源开关、电机驱动和高功率电子设备的理想组件选择。
