STD10NF10T4_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/15.0A 参数4：RDON/100.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
STD10NF10T4 N沟道MOS管，采用标准TO-252-2L封装，专为中等功率、高电压应用设计。该器件具备100V的最大漏源电压(VDSS)，可支持15A的连续漏极电流(ID)，确保在高压环境下稳定运作。其导通电阻RD(on)为100mR，虽非业内最低，但依然能在适度电流应用中展现良好效能。适用于开关电源转换、电池管理系统、一般电机驱动等应用场景，是兼具性能与性价比的优选半导体器件。
