STD12NF06LT4_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/27.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
STD12NF06LT4 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经济高效的TO-252-2L封装，适用于多种电子设计需求。在60V的最大漏源电压(VDSS)条件下，可提供稳定的20A漏极电流(ID)，特别适应高压大电流应用环境。其27mΩ的低导通电阻有助于提升系统能效，减少不必要的功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等领域，是您构建优质、节能电子系统的可靠组件。
