STD6NF10_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/15.0A 参数4：RDON/100.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
STD6NF10 N沟道MOS管，采用TO-252-2L封装，专为100V高电压系统中的中等电流应用设计。器件具备高达100V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID)，确保在高压环境中稳定可靠运行。导通电阻RD(on)为100mR，虽非超低阻值，但足以满足大部分中等功率转换需求，达到良好的性价比。广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等各种领域，是兼具性能与成本优势的理想半导体组件。
