STN4130_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/27.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
STN4130 N沟道MOS管采用TO-252-2L封装，结构紧凑，易于集成。器件以60V的最大漏源电压(VDSS)及20A连续漏极电流(ID)展现强大电能处理能力，特别适用于高压大电流应用场景。导通电阻低至27mΩ，有利于提升系统效率，降低能耗，并减少运行温度。此款MOS管广泛服务于电源管理、电机驱动等领域，是兼顾性能与可靠性的理想半导体组件。
