ZXMN6A08K_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/27.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
ZXMN6A08K 是一款N沟道MOSFET，采用小巧实用的TO-252-2L封装，适用于各类高密度电路设计。器件在60V的最大漏源电压(VDSS)下，可稳定承载20A的漏极电流(ID)，展现出卓越的电流处理能力。27mΩ的低导通电阻，有效提升系统效率，降低能耗。广泛应用于电源转换、电机驱动等场合，是您实现高性能、节能电子解决方案的理想半导体组件。
