ZXMN6A25K_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/27.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
ZXMN6A25K N沟道MOS管采用紧凑型TO-252-2L封装工艺，具备出色的电气性能。它拥有高达60V的漏源耐压(VDSS)及20A的连续漏极电流(ID)，可承载大电流负载。此外，导通电阻仅27mΩ，有效提升了能源利用率并降低发热。此款MOS管适用于各类开关电源、马达驱动等场景，凭借其优秀的电气特性和可靠性，成为现代高效能电子设备的理想选择。
