AOD66923_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/100.0V 参数3：ID/70.0A 参数4：RDON/8.2mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AOD66923 是一款高功率N沟道MOSFET，采用高效散热的TO-252-2L封装，专为大电流、高压应用设计。该器件具有高达100V的漏源电压VDSS和卓越的70A连续漏极电流ID能力，能满足严苛的电力传输需求。其亮点在于超低的8.2mR导通电阻RD(on)，有效减少能量损耗，大幅度提升系统效率。
