SISA96DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/50.0A 参数4：RDON/7.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SISA96DN-T1-GE3 是一款N沟道MOS管，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，专为现代电子设备的小型化和高性能需求打造。该器件能在30V的最大漏源电压(VDSS)下工作，提供50A的连续漏极电流(ID)，展现出卓越的电流处理能力。其导通电阻(RD(on))低至7.5mΩ，有效降低了功率损耗，提升了电路效率，广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等高要求应用场景，是您实现高效节能设计的理想半导体元件。
