SI7114DN-T1-E3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/6.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI7114DN-T1-E3 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，专为高功率密度和高效能应用设计。器件具备30V的漏源电压(VDSS)，在低至6mR的导通电阻(RD(on))条件下，可承载高达60A的漏极电流(ID)。广泛应用于开关电源、大功率充电器等场景，凭借其卓越的电流处理能力和能效表现，成为您优化系统性能和节能的重要半导体元件。
