BSZ0904NSI_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/100.0A 参数4：RDON/4.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
BSZ0904NSI 是一款高强度N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，特别适应于高密度电子产品的布局需求。其核心技术指标包括最大漏源电压(VDSS)达到30V，峰值漏极电流(ID)高达100A，显示出超强电流处理能力；而优异的导通电阻仅为4mΩ(RD(on))，确保在大电流工作状态下的低损耗性能。此款MOS管非常适合应用于功率转换、快速充电、大电流开关控制等对效率和稳定性要求严苛的领域。
