CSD25402Q3A_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/48.0A 参数4：RDON/7.5mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
CSD25402Q3A P沟道MOS管采用精巧DFN3X3-8L封装，实现高效空间利用。本器件具备20V的额定电压VDSS，能够承受高达48A的连续漏极电流ID，彰显出超强的电流处理能力。其核心优势在于超低导通电阻RD(on)仅为7.5mΩ，显著提升系统能效，减小功率损耗。这款MOS管广泛适用于电源切换、电池保护等多种应用场景，凭借卓越的性能表现与紧凑封装设计，CSD25402Q3A 成为了高功率密度应用的理想半导体选择。
