MDV3604URH_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/32.0A 参数4：RDON/10.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
MDV3604URH 是一款高性能P沟道MOSFET，采用小型化DFN3X3-8L封装，专为高密度电路设计。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS)，可承载高达32A的连续漏极电流(ID)，并展现出极其出色的10mΩ导通电阻(RD(on))，确保在大电流工作条件下仍然保持高效能与低发热。这款MOS管广泛应用在电源转换、马达驱动、电池管理系统等场合，是实现高功率密度和节能设计的理想之选。
