SI7218DN-T1-E3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N+N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/19.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI7218DN-T1-E3 是一款采用了创新DFN3X3-8L封装技术的高性能NN沟道MOS管。凭借其30V的漏源电压VDSS和强大的20A连续电流ID能力，能在低压高电流条件下稳定运作。特别值得关注的是其极低的导通电阻RD(on)仅有19mR，极大程度降低了系统损耗，提升了能效表现。此款MOS管广泛应用于电源转换、电机驱动、快速充电设备等高效率电源管理方案，是现代电子产品设计的理想之选。
