SI7308DN-T1-E3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/60.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/31.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI7308DN-T1-E3 是一款高性能N沟道MOSFET，采用DFN3X3-8L小型封装，适合空间受限的高效能应用。器件具备60V的高耐压VDSS和20A连续电流ID处理能力，确保在高电压大电流环境下稳定工作。其导通电阻RD(on)仅为31mR，有效降低了功耗，提高了整体电路效率。广泛应用在开关电源、电机驱动、电池管理系统等领域，是设计高效、节能方案的理想半导体元件。
