SI7121DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/25.0A 参数4：RDON/16.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI7121DN-T1-GE3 是一款采用紧凑型DFN3X3-8L封装的高性能P沟道MOSFET，专为高功率密度应用设计。该器件提供30V的额定电压VDSS，最大连续漏极电流可达25A，体现卓越的电流处理能力。尤为突出的是其低至16mΩ的导通电阻RD(on)，大幅减少功率损耗，提升能源利用效率。广泛适用于电源转换器、电池管理系统及大电流电机驱动等场景，SI7121DN-T1-GE3 MOS管是您实现高效、可靠电路设计的理想之选。
