SI7619DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：P沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/25.0A 参数4：RDON/16.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI7619DN-T1-GE3 是一款高效的P沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，旨在优化空间受限的设计。器件具有30V的电压额定值VDSS，可承载高达25A的连续漏极电流ID，展示了卓越的电力处理性能。其特色在于拥有低至16mΩ的导通电阻RD(on)，有效降低功率损耗，提高能源效率。广泛应用在电源转换、电池管理系统、大型电机驱动等领域，SI7619DN-T1-GE3 MOS管是您追求高性能与节能设计的理想伙伴。
