IRFHM8329PBF_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/100.0A 参数4：RDON/4.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
IRFHM8329PBF MOS管采用先进的DFN3X3-8L封装技术，是一款高效的N沟道MOSFET器件。其特性包括30V的最大漏源电压VDSS，以及强大的100A连续电流ID承载能力，展现了出色的电力控制性能。此外，该器件具有的超低导通电阻RD(on)仅4mR，旨在大幅度降低能耗，提升系统能效，尤其适用于对功率密度和效率有较高要求的开关电源、马达驱动、电池管理系统等领域，为您的高端电子设计提供坚实保障。
