AON3414_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/15.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
AON3414 是一款采用先进DFN3X3-8L封装的N沟道MOSFET，具有卓越的空间利用率和散热性能。在30V的最大漏源电压(VDSS)下，可实现高达20A的连续漏极电流(ID)，尤其适用于需要大电流处理能力的场合。其优异的15mΩ导通电阻，确保了系统运行的高效低耗。广泛应用于电源转换、电池管理系统以及其他需要高性能MOSFET的领域。
