SIS414DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/15.0mR 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
SIS414DN-T1-GE3 是一款N沟道MOSFET，采用紧凑型DFN3X3-8L封装，专为高密度电子设计打造。在30V的最大漏源电压(VDSS)下，可承载高达20A的连续漏极电流(ID)，满足大电流应用需求。其突出的15mΩ导通电阻，有效提升系统效率，减少功耗。广泛应用于电源管理、马达驱动、电池保护等电路设计，是高性能、低电阻解决方案的理想选择。
