SIS412DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/30.0V 参数3：ID/20.0A 参数4：RDON/15.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SIS412DN-T1-GE3 MOS管，以紧凑型DFN3X3-8L封装提供卓越性能。该器件为N沟道设计，拥有30V的稳定工作电压VDSS及出色的20A电流承载能力，其导通电阻低至15mR，确保了在高功率转换中的优异效率表现。适用于各类高端电源控制、马达驱动等领域，是您实现系统优化的理想半导体解决方案。
