SI7106DN-T1-E3_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/4.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
SI7106DN-T1-E3 MOS管是一款高性能N沟道半导体器件，采用小型化DFN3X3-8L封装技术，具有强大的电力处理能力。其特点是20V的VDSS耐压值，以及惊人的60A持续电流ID，尤其引人注目的是其超低导通电阻仅4mR，有效降低损耗，提升整体效能。这款MOS管非常适合应用于要求严苛的电源转换、大电流开关控制等场景，为您带来前所未有的能效体验。
