DMN2005UFG_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000圆盘 参数1：N沟道 参数2：VDSS/20.0V 参数3：ID/60.0A 参数4：RDON/4.0mR 标价：欢迎咨询
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产品介绍
DMN2005UFG MOS管，精选N沟道技术，封装精巧DFN3X3-8L，专为精密电子设备设计。拥有20V的电压耐受力VDSS，峰值电流可达60A，展现卓越的电力处理性能。其导通电阻仅为4mR，极大地提高了能源利用率和系统效率，是高功率密度应用的理想之选，广泛应用于电源转换、快速开关控制等领域，为您的电子产品注入澎湃动力。
